Lo suponía.
Un BJT te da 0,7V o menos de caída. Un MOSFET te va a dar menos dentro de ciertas regiones de operación, pero la implementación es bastante más compleja.
Lo que planteás de poder manejar más corriente es correcto, pero otra vez, estás limitado por algunas curvas.
El asunto del calor... Ojo que me parece que no estás entendiendo bien el asunto.
Si en el emisor del 2955 del circuito tenés un voltaje Ve y en la base un voltaje Vb, en el colector habrá Vb-0,7V, por eso de la caída interna del transistor.
Si circula una corriente I por el transistor, calor será entonces proporcional a la disipación de potencia, esto es (Ve-Vb-0,7V)*I.
En un MOSFET tendrás la "enorme" diferencia de esos 0,7V dentro de ciertos parámetros de operación.
Un MOSFET no es mágico y NO se va a calentar menos si tiene que disipar la misma potencia que un BJT, pero tendrás que tener más cuidado con la conexión y tendrás que armar un circuito más complejo. Realmente no me parece que valga la pena.
Si no, buscá una fuente switching. Pero eso ya es distinto a lo que planteás.
Del calor no hay otra manera de escaparse.
Por el lado educativo, está bueno el interés, pero no te recomiendo usarlos en aplicaciones en las que son poco prácticos.
Poco más o menos, GDS en un MOSFET canal N, son equivalentes a BCE en un BJT NPN.
La diferencia más notable es que el Gate no consume corriente (bueno, es despreciable), sino que se activa por voltaje. Pasado cierto umbral (anda por los 3 o 4V en general) se "pone en corto" entre D y S (queda en Rdson) y ofrece una bajísima resistencia al paso de la corriente.
Esto en tu fuente no te sirve.
Saludos y por segunda vez, no uses abreviaturas tipo chat o SMS en el foro. Gracias.