Saludos, soy un estudiante que recien lleva su primer curso de electronica y tengo un par de dudas de novatos que espero ustedes, amables camaradas, puedan ayudarme a remediar...
La primera de ellas es, para un semiconductor sabemos que la corriente esta dada por la corriente de saturacion del semiconductor multiplicada por una exponencial menos 1, esto es
I=Io((e^(qV/nkT))-1)
Mi pregunta es, como puedo medir esta corriente de saturacion experimentalmente? digamos para un diodo de silicio?
La segunda de mis preguntas es algo relacionado con una grafica qe les pongo a continuacion, se trata del voltaje en el eje X contra corriente en el eje Y en un diodo. Debo construir un circuito usando elementos: diodo ideal, bateria y resistencia, de modo que me den los valores siguientes:
http://i3.photobucket.com/albums/y57/anjjel/nose.jpg
para ello necesito el arreglo y valores de dichos elementos, si alguien pudiera ayudarme les estaria muy agradecido, con alguna de mis dos preguntas o algo, que tengan un excelente dia...
La primera de ellas es, para un semiconductor sabemos que la corriente esta dada por la corriente de saturacion del semiconductor multiplicada por una exponencial menos 1, esto es
I=Io((e^(qV/nkT))-1)
Mi pregunta es, como puedo medir esta corriente de saturacion experimentalmente? digamos para un diodo de silicio?
La segunda de mis preguntas es algo relacionado con una grafica qe les pongo a continuacion, se trata del voltaje en el eje X contra corriente en el eje Y en un diodo. Debo construir un circuito usando elementos: diodo ideal, bateria y resistencia, de modo que me den los valores siguientes:
http://i3.photobucket.com/albums/y57/anjjel/nose.jpg
para ello necesito el arreglo y valores de dichos elementos, si alguien pudiera ayudarme les estaria muy agradecido, con alguna de mis dos preguntas o algo, que tengan un excelente dia...