En la resistencia de 10k queremos obtener 100 voltios

[JDC]

en la resistencia de 10k solo obtenemos 14 voltios
lo hemos implementado y visto el voltaje en el osciloscopio, solo obtenemos 14 voltios en la resistencia de 10k
los mosfets trabajan como interruptores on off, en el libro Muhammad Rashid hay teoria de convertidores dc ac en puente H,
despues de obtener el voltaje en la resistencia de 10k emplearemos 4 mosfets para hacer un puente H

...

 

[chclau]

Analizá bien el circuito. ¿Qué pasa con el Mosfet S1? ¿Qué tensión tendrías que tener en el gate si querés que el source llegue a 100V?

 

[opamp]

Compatriota porque los dos transistores en serie,como piensas obtener AC con ese circuito errado, eso no dice Rashid. Estimado Ud ya tiene TRES annos en el FE.

 

[JDC]

gracias por sus respuestas

- en el mosfet s1, entonces utilizando el simulador proteus variando el voltaje en la compuerta s1 varia el voltaje en la resistencia de 10k, si aplico 100vdc en la compuerta el voltaje en la resistencia de 10k es casi 100vdc, lo voy a implementar en protoboard solo que el mosfet su voltaje Vgs =+/- 20vdc, como lo haran en el libro muhammad H. radish, luego lo comentare...

- los dos transistores mosfets en serie, primero lo ponemos en serie para ver las fallas, por que si armamos el puente H con cuatro mosfets como en el libro muhammad H. radish vemos una onda en el osciloscopio casi senoidal de 14 voltios que se puede elevar con un transformador, entonces armo el circuito que esta en el dibujo anterior con dos mosfets pero obtengo 14 voltios en la resistencia de 10k.

 

[chclau]

En todo caso le habrás puesto cerca de 100V al gate, o sea que Vg = 100V. ¿Cuánto es Vgs?

 

[Nuyel]

Considera que el voltaje en source del MOSFET S1 se eleva, por lo tanto la diferencia de voltaje de Gate y Source tiende a disminuir a 0V apagando el MOSFET, en la practica eso no se da por que al decender el voltaje en source ΔV crece y lo vuelve a activar, así que solo da perdidas de voltaje hasta el punto en el que se equilibra, que en este caso parece ser 3,9V. los fabricantes implementan dos soluciones al usar los MOSFET en los puentes H, una es usando MOSFET complementarios (Tipo P y N) y la otra es usando una bomba de carga para crear la tensión elevada necesaria para el MOSFET N.

 

[JDC]

resuelto

me demore bastante:

- el voltaje fue de 100 voltios en la compuerta Vgs, pero funciono con mosfets complementarios como dijo nuyel, gracias

 

[opamp]

JDC, 100V / 10KOhm = 10mA ,.... Para un mos de 33A , estas haciendo electronica ? Y citas al libro de Muhammad H. Rashid:Electronica de Potencia; la VERDAD no encuentro CONGRUENCIA.

 

[Nuyel]

Tranquilo opamp, el concepto estaba bien pero esa forma necesita un voltaje mayor en gate al que se alcanzará (o pretende lograr) en source, lo que no sirve con voltajes tan elevados por la complejidad de generar dicho voltaje en rangos que tolere el MOSFET, son detalles que algunos pasan por alto cuando estan aprendiendo, tampoco es para regañarlo tanto.

 

[palurdo]

resuelto

me demore bastante:

- el voltaje fue de 100 voltios en la compuerta Vgs, pero funciono con mosfets complementarios como dijo nuyel, gracias

En tu topología si la conmutación no va a ser duradera (de más de unos segundos) puedes usar perfectamente 2 MOSFET-N siempre y cuando en el High Side utilices un circuito de Bootstrap que consiste básicamente un condensador (tan grande como necesites que la parte alta esté encendida), un diodo, y una resistencia.

Así lo hice para controlar la intermitencia de mi famoso intermitente por PIC (del tipo 49/49a/31). Usé un IRF3704S rescatado de una placa base de PC muerta para conmutar el ramal positivo. Sin el bootstrap, la lampara de pruebas de 21W lucía poco y el mosfet ardía de gusto (varios voltios de caida en el mosfet). Con el bootstrap, actualmente funciona el intermitente con 100W en la posición de emergencia de mi coche, y el mosfet ni siquiera se caldea un poco.