blanko001, bueno, por lo menos vamos poniéndonos de acuerdo en algunas cosas
También sospechaba que el transistor no se calentaba en sí por la corriente que circula por el, menos el MJE13007 que soporta 8A (como dato curioso realicé pruebas con el MJE13009 que soporta mayor amperaje y parecía que calentaba mas rápidamente que el MJE13007 para un mismo circuito, eso me llevó a pensar lo de la frecuencia)
No es muy curioso que caliente más el 13009 que el 13007, en todos los transistores del tipo bipolar hay algo que en los data sheet se denomina como hfe, este es el valor de ganancia que posee cada transistor, o sea para cierta intensidad de base, cuantas veces mayor es la intensidad del colector que puede conducir, por ejemplo:
Para un transistor con una ganancia de 20 hfe que en su base circulan 10mA, por su colector solo circularán 10mA * 20hfe = 200mA
¿Que significa esto? pues que a este transistor mientras la intensidad del colector no supere los 200mA, la caída de tensión en conducción del mismo será de 0.7V (esto es lo llamado conducción en saturación), ahora si quisiéramos superar los 200mA (reduciendo el valor de la resistencia de la carga) esta caída de tensión empezara a incrementarse de manera tal que la intensidad del colector siempre permanezca en 200mA (esto es la conducción en la zona lineal) y de esta forma está operando en la zona lineal, que para una fuente swiching es muy malo y por supuesto se incrementará la potencia disipada por este transistor.
¿A que voy con todo esto? Pues al cambiar el transistor por uno de mayor amperaje, has reducido la ganancia del mismo (por regla general, a mayor amperaje que soporte un transistor, menor es su ganancia), al tener menos ganancia y no modificar la intensidad de base (tal como en tu caso) la intensidad de colector soportada en saturación es menor y los tiempos de conmutación de los que hablábamos antes se hacen más lentos, con el consecuente incremento de su temperatura.
Aparte de lo anterior, todos los transistores (los mosfet más todavía) tienen algo llamado capacidad parásita, es como si tuvieran un condensador conectado entre cada uno de sus pines, esto es por la propia forma de construcción.
Al trabajar en conmutación, esa capacidad hay que "llenarla" y "vaciarla" en cada cambio, por lo que esto lleva un tiempo, tiempo que pierde el transistor incrementando el tiempo de los flancos de conmutación consiguiendo un mayor calentamiento.
Nuevamente, por regla general, a mayor transistor mayores capacidades parásitas.
En definitiva, cambiar por un transistor de mayor amperaje (sin cambiar la intensidad de base) incrementa las capacidades parásitas y decrementa la ganancia consiguiendo un mayor calentamiento
Esto en este proyecto no es muy útil, pero es muy bueno saberlo para un futuro
El circuito original chino utiliza un NPN MJE13003 ya que reencontré el diagrama lo comparto:
Muy bueno y muchas gracias, verás que nos será de mucha ayuda. Si llegaras a tener una foto del circuito ensamblado, podríamos llegar a sacar unas medidas aproximadas del trafo que usan estos chinos...
Yo creo que no hay problemas en reemplazarlo por un mosfet canal N, pero mi idea en un principio fué reutilizar el trafo, diodos, y transistores de una lampara de bajo consumo... bueno el proyecto se desvió un poco, pero es necesario, porque el objetivo sin dudas en lograr una fuente conmutada sencilla sin integrados "extraños" o dificiles de adquirir, para que toda la cantidad de personas que necesiten darle vida a sus LED de 10W lo logren de una manera muy útil y eficiente (he visto en el foro muchos temas de como iluminar el famoso LED de 10W, eso me hizo pensar en éste proyecto)
Tanto el proyecto como tu idea de "reciclar" me parecen muy buenas, igual fíjate que no se a desviado mucho de esta idea, ya que conseguir unas pocas resistencia de un valor muy económico no le hacen mal a nadie.
Lo principal del circuito se consigue en las lámparas, trafo, transistores, casi todos los diodos, muchos de los condensadores. Siempre que usemos el circuito de los chinos...
El circuito que yo estoy experimentando es con un mosfet, varía ligeramente en el diseño, pero usar un mosfet no es de mi agrado y por eso quiero cambiar a un BJT ya que los mosfet no son muy buenos para frecuencias superiores a los 100KHz por el tema de las capacidades parásitas que en estos transistores es muy alta, consiguiendo perdidas importantes.
De hecho en mis pruebas el mosfet y su buen disipador (con respecto a la potencia a tranformar) se calentaba tanto como para quemarte los dedos
Tengo disponibles otros tamaños de trafos, incluso hay ahorradoras con trafos mas grandes. Todo es cuestión de algo de tiempo y rebobinar. Saludos!
Sí conosco ahoradoras con trafos de muy buen tamaño, pero el trafo de 4.8 x 4.8 debería ser suficiente. Mi hermano con un trafo aun menor consiguió transformar una potencia de 15W.
Bueno, ahora me voy a poner a bobinar el trafo con los datos que te e pasado, pero en mi caso para 220Vca, veremos que pasa.
Una novedad, a llegado a mis manos un tranformador electrónico de los usados en lámparas halógenas, tiene una potencia de salida de hasta 60W en 11.5V, posee muy pocos componentes y un transformador toroidal, lo malo es que no tiene en la salida ningún tipo de regulación (por lo que veo hasta ahora) y la salida es de corriente alterna, el secundario no tiene ningún tipo de componente, se conecta directamente a la lámpara.
Un saludo.
Atte. CARLOS.
