Un poco tarde la respuesta pero si todavía tienes esa duda aquí va:
Si quieres utilizar un Canal N en la parte superior del puente H (High side) entonces el drain quedara a +Vcc, en esta configuración tu necesitas minimo 10v arriba de tu Vcc, porque?, por que tu transistor esta referido a Vcc, cosa que no pasa si usas un canal N en la parte baja ya que este esta referido a masa, entonces en este caso solo tienes que usar un voltaje por arriba del threshold en el gate para poder prenderlo (se recomienda 10V para saturarlo bien).
Este es el gran inconveniente de utilizar canal N como High side, para solucionar esto entra el IR2110 o cualquier gate driver, lo que hace este integrado es que YA NO necesitas la fuente de +10V > Vcc, si no solamente una fuente de 15V para encender el chip y este realizara el trabajo de activar correctamente los gates de tus transistores canal N, por eso ves en los diagramas de internet que no usan esa fuente de mayor voltaje si no solo 15v.
Si no quieres utilizar el IR2110, puedes usar mosfets canal P en la parte alta (high side) y ya no te tienes que preocupar por una fuente 10V > Vcc por que en esta configuración el Source es el que estara a +Vcc por lo tanto para activar el gate del canal P puedes ocupar el voltaje de Vcc nada mas.
Pd. Te recomiendo utilizar optoacopladores para aislar la parte de control de la de potencia y asegurate que estos sean de los rapidos si vas a trabajar con frecuencias de 20 - 40 kHz.
Espero que te sirva.
Saludos.
