Hola, saludos, soy nuevo en el foro. Espero no haber puesto esto en el lugar equivocado, pero no quize abrir un tema nuevo si ya se habia hablado de este amplificador previamente.
Estoy planeando construir el amplificador de 400w que se encuentra en el sitio de "construyasuvideorockola.com", pero tengo problema para encontrar los transistores D1047 y el B817E, despues de revisar sus especificaciones, vi que ambos son complementarios a 140v 12a 60w. Pense en sustituirlos, por otros de caracteristicas similares, pero todos los que puedo conseguir en mi ciudad son a 100v, aunque tienen mayor Amperaje y Watts en sus especificaciones.
Estos son los que encontre para sustituir el B817E, todos a 100V
2N6287 20A 160W A unos U$7~
MJ15016 15A 180W U$4~
MJ15023 16A 250W U$9~
TIP36C 25A 125W U$2~
Y para el D1047, tambien todos a 100V:
2N6284 20A 160W U$9~
MJ15015 15A 180W U$5~
MJ15022 16A 250W U$9~
TIP35C 25A 125W U$2~
La fuente a la que funciona el circuito es -33 0 +33 12A, creen que sirvan de reemplazo alguno de ellos? son los mas similares que pude encontrar. He buscado tanto en el foro como en internet y toda la informacion posible sobre el funcionamiento de los transistores, pero no he encontrado nada que hable del voltaje =(, estoy un poco apretado de capital, asi que si los TIP35 y 36 funcionaran perfectamente, pues excelente jajaja, estoy seguro al 90% que los TIP me sirven, pero como es una es un circuito mas complicado y maneja mas potencia, prefiero asegurarme antes de meter la pata. Tambien menciono, aun si no es importante, que el diodo P600J lo cambie por un MR756 por imposibilidad de encontrar el diodo exacto.
Bueno, muchas gracias por su ayuda, dejo las caracteristicas que se encuentran en la pagina de la tienda por cualquier ayuda que pueda proporcionar.
2N6284
Transistor de potencia bipolar Darlington, tipo NPN, Vceo 100 min., Ico 20 A max., hFE 750 min. a 18k max. @ 1 MHz, fT 4,0 MHz min. Pd 160 W @ 25° Celsius, encapsulado metálico TO-224AA (TO-3). Diseñados para salida de audio de alto poder.
2N6287
Transistor de potencia bipolar Darlington, tipo PNP, Vceo 100 min., Ico 20 A max., hFE 750 min. a 18k max. @ 1 MHz, fT 4,0 MHz min. Pd 160 W @ 25°s Celsius, encapsulado metálico TO-224AA (TO-3). Diseñados para salida de audio de alto poder.
MJ15015
Transistor de potencia bipolar, tipo NPN, Vceo 120 min., Ico 15 A max., hFE 20 min. a 70 max. @ 1 MHz, fT 1,0 MHz min. Pd 180 W @ 25° Celsius, encapsulado metálico TO-224AA (TO-3). Diseñados para salida de audio de alto poder.
MJ15016
Transistor de potencia bipolar, tipo PNP, Vceo 120 min., Ico 15 A max., hFE 20 min. a 70 max. @ 1 MHz, fT 1,0 MHz min. Pd 180 W @ 25° Celsius, encapsulado metálico TO-224AA (TO-3). Diseñados para salida de audio de alto poder.
MJ15022
Transistor de potencia bipolar, tipo NPN, Vceo 200 min., Ico 16 A max., hFE 15 min. a 60 max. @ 1 MHz, fT 5,0 MHz min. Pd 250 W @ 25° Celsius, encapsulado metálico TO-224AA (TO-3). Diseñados para salida de audio de alto poder.
MJ15023
Transistor de potencia bipolar, tipo PNP, Vceo 200 min., Ico 16 A max., hFE 15 min. a 60 max. @ 1 MHz, fT 5,0 MHz min. Pd 250 W @ 25° Celsius, encapsulado metálico TO-224AA (TO-3). Diseñados para salida de audio de alto poder.
TIP35C
Transistor de Potencia Bipolar, tipo NPN, Vceo 100 V min, Ico 25 A max., hFE 15 min. 75 max. @ Ic 15 A, fT 3 MHz min., Pd 125 W @ 25° Celsius, encapsulado TO-218. Diseñados para propósito general, salida de audio y switcheo rápido.
TIP36C
Transistor de Potencia Bipolar, tipo PNP, Vceo 100 V min., Ico 25 A max., hFE 15 min. 75 max. @ Ic 15 A, fT 3 MHz min., Pd 125 W @ 25° Celsius, encapsulado TO-218. Diseñados para propósito general, salida de audio y switcheo rápido.