Resistencia entre Gate y Sourse de Fet ChannelP

#1
Hola, estoy diseñando un pequeño circuito que incluye un transistor Fet de canal P FDD6685. La alimentación es entre 12 y 14 voltios y como no se interpretar bien la hoja de datos necesito que me ayuden con el valor de la resistencia entre Source y Gate. Estoy usando 5k6 y la frecuencia de conmutación en ningún caso supera los 500 hz.

Dejo link a la hoja de datos http://www.taydaelectronics.com/datasheets/files/a-1683.pdf

Muchas Gracias
 
#4
Debes subir el diagrama completo !

Se trata de R3 y R5, uso 5k6 porque tengo una caja con 2000 unidades que compré alguna vez. Funciona pero quiero saber si esa resistencia está bien porque trabajo a corte y saturación y como el transistor es SMD tengo una huella de 2cm cuadrados para disipación. Entre 4 y 5 amperes sería la máxima corriente circulante. Gracias
 

Adjuntos

#6
Probá de ponerle otra de 5600 en paralelo y quedás en 2800 . . .
Con 5k6 el fet esta abierto, con dos en serie 11200 también y el fet conduce cuando el 3904 pone el gate a masa. Si pongo en paralelo y quedan 2800 ¿No tendré un flanco de subida en el Source mas curvado y el RsOn aumenta? En el osciloscopio no logro ver una diferencia y tal vez me estoy haciendo un rollo de algo que no es significativo. Mi preocupación es que elegí transistores de muy bajo RsOn porque en mi diseño no puedo usar disipador, solo una pista un poco ampliada y necesito que disipe la menor potencia posible ¿Estoy diciendo bien? Gracias
 

DOSMETROS

High 2m Modereitor
#7
Sorry , ahora veo que son P :facepalm: , cómo anda la temperatura así ?

Con 2k8 digamos que se apagaría más rápido y 2N3904 trabajaría un poco mas , poco.
 
#8
Sorry , ahora veo que son P :facepalm: , cómo anda la temperatura así ?

Con 2k8 digamos que se apagaría más rápido y 2N3904 trabajaría un poco mas , poco.
Uso canal P porque son circuitos para automóviles donde la masa es común. Si fuera que solo hay que encender y apagar no me haría problema, pero voy a regular la intensidad de lamparas de filamento 35 watts por pwm a 500hz que es la frecuencia a la que puse el micro. Tendré que dejarme de teoría, "que poco domino" y pasar a la práctica midiendo la temperatura de los transistores con distintos valores de la resistencia del gate.
 
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