oooops... ya arreglo eso...
Bueno… aquí tengo el circuito corregido, ahora voy a aclarar algunos puntos referentes al montaje de este circuito, en primer lugar tenemos el transformador de entrada (T1).
Se construye bobinando 3 espiras de alambre numero 23 AWG sobre un núcleo de ferrita “binocular”, ya tenemos el primario. Ahora para realizar el secundario, extraemos la malla de un trozo de cable coaxial y formamos una “U” que introduciremos de tal manera que sus terminales salgan por el lado opuesto a los terminales del primario, el punto central de esta “U” va conectado por una parte a la polarización (BIAS) a través de una resistencia de 2,2 o 2,7K, el condensador de 100 nanofaradios asociado se emplea para poner a masa para efectos de RF este punto.
El transformador de salida se puede construir de varias maneras, empleando coaxial semi rígido con aislamiento de silicona resistente al calor, los detalles constructivos están en el datasheet del transistor MRF151G que va adjunto.
Las resistencias de neutralización son originalmente de tipo CERMET de 100 ohm a unos 5 vatios, pero he tenido buenos resultados usando resistencias comunes de 150 ohm a 5 vatios de carbón aglomerado. Los condensadores asociados a las resistencias pueden ser unidades comunes con tensión de trabajo de unos 100 voltios con valores en la banda desde los 10 a los 100 nanofaradios. En cuanto a los condensadores de salida de RF (15pF y 470pF) estos deben ser para una tensión de trabajo de 250 voltios, dado que a plena potencia y con carga de 50 ohm, el voltaje de RF presente ronda los 160 voltios. Los condensadores de desacople de RF, pueden ser a unos 100 voltios, tratando de conseguir unidades de mica – plata o “lentejas”, ya que por su construcción tienen mínimo efecto de inductancias parasitas, ahora si es posible conseguirlos, es mejor usar condensadores de mica aglomerada UNELCO o SEMCO, construidos para trabajo en RF.
El voltaje BIAS se ajusta en TP a 1,8 voltios máximo, con esta tensión el circuito drenara aproximadamente 150 – 200 miliamperios sin excitación.
La tensión de alimentación principal puede estar en la banda de 40 a 48 voltios, valores mayores pueden producir demasiada disipación de calor, y valores mas bajos pueden comprometer bajo rendimiento del MOSFET. La corriente drenada con el circuito trabajando a potencia de regimen puede llegar a los 8 o 9 amperios.
La excitación puede variar entre 7 y 8 vatios de entrada dependiendo de la frecuencia de trabajo.
Un buen disipador de calor es muy importante, hablando “en bruto” el circuito consume unos 500 vatios de los cuales por cuestiones de rendimiento del MOSFET, el 50% se traduce en energía de RF, y el otro 50% restante se convertirá en calor que habrá que evacuar del algún modo usando ventiladores. En este punto, es preferible usar disipadores cuya sección de montaje sea gruesa, esto asegura un mejor flujo de calor.
La salida de RF se debe llevar a un filtro pasa bajos para eliminar algunos armónicos que se pueden producir y que son inherentes al proceso de amplificación en PUSH PULL empleado en este circuito.
Cualquier aclaración, estoy a sus ordenes.
