Comprobación de mosfet

Hola a todos deste excelente foro por un acaso yo encontrey ese video en la Net demostando como testear el transistor mos-fet de potencia de RF :
!Abraços !
Att.
Daniel Lopes.
 
El circuito de pruebas de Moises funciona bien para la prueba sencilla, pero para hacer la prueba mas dinámica sin usar RF, hay que cambiar el circuito de la siguiente manera: se cambia el LED por una bombilla de 12 voltios que absorba al menos unos 500 miliamperios, en segundo lugar, cambiamos el pulsador por un potenciometro de unos 10K, una terminal ira al negativo, la terminal central del potenciometro va al terminal GATE a través de una resistencia de 4,7K, y la terminal restante del potenciometro, ira conectada en serie con una resistencia de 10K al positivo de la fuente. en estas condiciones, al conectar el mosfet, giramos el potenciometro de tal manera que el terminal central quede a negativo, encendemos el circuito y al girar lentamente el potenciometro para aumentar la tension de GATE, habra un punto donde la lampara empezara a brillar, tal como si fuera un regulador, se gira el potenciometro en ambos sentidos para comprobar que regule y apague la lampara. Si el mosfet se comporta asi, hay un 90% de probabilidades que este en buen estado, lo del 10% restante lo digo por que en mi laboratorio han caido transistores falsos que responden a este test, pero no andan con RF. Ah! este probador sirve con cualquier tipo de MOSFET RF de potencia.
 
Hola.
Como complemento hace poco compre con uno de mis proveedores un BLF278 y un SD2942. De entrada sospeche de su autenticidad ya que tenian las patas mas cortas. Al momento de probarlos en CD funcionaron bien. Pero al ponerlos en el amplificador y darles RF se quemaron! Se pusieron en corto, lo que confirmo mi sospecha de ser falsos. Puse transistores de otro proveedor y funcionaron ok.
En otro post o hilo, pongo fotos de los BLF278 y SD2942 falsos.
Saludos.
 
Es cierto, hay una gran variedad de transistores RF falsificados, en términos generales, cualquier mosfet que venga empacado en una bolsita antiestatica de color metálico, con un adhesivo que indique que es sensible a la electricidad estática, es falso, ademas hay otras cosas que se pueden verificar antes siquiera de sacarlo de ese empaque, la primera es defectos en el acabado del transistor; un transistor original no tendrá gotas o rebabas de adhesivo entre el cuerpo metálico y la "tapita" del mosfet, en el caso de los transistores originales ese adhesivo es una ceramica totalmente blanca que no se nota mucho, pero en los falsos es una especie de goma o un material que parece colofonia derretida. Otro punto esta en la referencia, particularmente con los MRF151G, desconfíen al 100% si son de marca Motorola, pues esta empresa no los fabrica desde el año 2002 o 2003, los BLF278 son los mas clonados, pero se pueden revisar a simple vista, y su acabado nos puede dar las pistas, en primer lugar, este mosfet viene con doble cubierta superior, en la izquierda viene la referencia, estas cubiertas deben estar perfectamente alineadas, sus pines deben ser largos y totalmente dorados al igual que la aleta de montaje, si no es asi, es un transistor falso, finalmente, si viene con una sola cubierta, tambien es mas falso que moneda de cuero (como decimos en mi pais). Finalmente, les sugiero conseguir transistores en lugares reconocidos, no confien en las paginas de venta masiva por internet (mercado libre ali baba y otras). Si hay imagenes comparativas. por favor compartirlas ya que el elevado precio de estos componentes, hace que una compra falsa, nos arruine el bolsillo.

Suerte colegas.
 
Muy cierto Van der, para ir a la fija es mejor no arriesgarse con proveedores dudosos, hay que comprar con casas reconocidas, lástima que no se puedan dar referencias aquí en el foro, otra cosa es que los transistores chiviados tienen una serigrafía que a simple vista se notan sus defectos, cuando se manejan potencias considerables, se manejan presupuestos considerables, también yo pasé por esa jaqueca en el bolsillo.
 
Hola!
He estado haciendo la prueba de encendido/disparo/swichting o como se llame a ALGUNOS Mosfets con un multitester digital pero tengo una pequeña duda.
La prueba de encendido se puede hacer de 2 maneras:

1) punta negra en el surtidor, punta roja en el drenador ahi marca 1 a causa del diodo interno del mosfet, luego se lleva la punta roja al gate para encender el mosfet y se vuelve la punta roja al drenador y marcará una resistencia muy baja. este valor de baja resistencia es la que quiero entender pues no es siempre la misma.
2) punta roja en el surtidor y punta negra el drenador ahi marca una resistencia de aprox. 500 a causa del diodo interno del mosfet, luego con la punta roja se toca el gate y se vuelve al surtidor entonces la resistencia ahora igualmente marcara muy bajo o caera el valor.

Bajé las hojas de datos y entendí que esa resistencia es el valor del RDS (ON), la resistencia cuando el mosfet esta encendido. Pues aunque es obvio quisiera que ustedes me confirmen o corrijan.

Pruebas:
MOSFET N°1 2SK2564 El datasheet dice:
RDS(ON) 0.9 Ω (tipico) 1.2 Ω (Max.)
Al probar con mi tester en la escala de diodos marca un valor FIJO de 085 (encendido) tanto en la forma 1 y 2, así efectivamente lo considero bien porque coincide con el datasheet.

MOSFET N° 2 FQD45N03L El datasheet dice:
rDS(ON) 0.018 Ω (Typ.) 0.023 Ω (Max.)
Al probar con mi tester en escala de diodos me da el valor FIJO de 002 (encendido) tanto en la forma 1 y 2 (Sin ver el datasheet este valor era de un corto total y me parecía RARO), pero luego de ver el datasheet veo que coincide con su datasheet así que pienso que esta BIEN.

MOSFET N° 3 2SK3570 El datasheet dice:
RDS(on)1 = 12 mΩ MAX
Al probar con mi tester en la escala de diodos en la FORMA 1 la resitencia cae a 980 e inmediatamente sube a 1, y en la FORMA 2 la resistencia cae hasta 102 y sube muy rapido hasta el NORMAL que hay entre el drenador (punta negra) y sutidor (punta roja) el cual es 490.
He leido que este comportamiento es normal para algunos mosfets, es decir se desactiva muy rapido, o esta dañado este MOSFET?.

Es mejor tener mayor o menor valor de rDS(ON) en los Mosfets???
Espero su correcion o aclaracion sobre estos puntos
Saludos ...
 
No conozco de tester. Pero un rDS ON bajo significa que al estar abierto y la corriente fluye por el MOSFET un valor de resistencia menor significa que se genera menos energía calorífica. Es el calentamiento del MOSFET es lo que limita la cantidad de corriente. El otro aspecto importante es el de tener una tensión adecuada en el gate. Si al gate se le aplica una tensión demasiado baja el rDS ON tendrá un valor mas alto resultando en el calentamiento excesivo del MOSFET. Amigos en el foro de modelismo naval usaron para el gate una tensión de solo 5VDC, cuando el valor mas apropiado serían por ejemplo 12 VDC. Usando el famoso Proteus no veían problema en actuar así, pero en la práctica este calentamiento excesivo se confirmó.
 
Agregando a lo que dijo Hellmut, la prueba asi como la efectuas se basa en que el Mosfet tiene una cierta capacidad de gate que lo deja disparado por un tiempo luego que lo activaste con el tester.

Si haces la prueba y dejas pasar suficiente tiempo veras que todos regresan al estado de no conduccion. A lo que voy es que el Mosfet que se desactivo muy rapido probablemente NO esta daniado, es solo que tiene una capacidad de gate mas baja.
 
Hola a todos , !saludos !, Desafortunadamente lo "Transistor MosFet" hasta hoy es un tema poco conocido como el realmente anda.
Exenplo : La junción Gate y Sourse tiene una inpedancia tan alta que no consome corriente alguna y mas , ! el se conporta realmente como un capacitor !.
Por eso que con un Multitester ayustado para medir Ohmios podemos cargar la junción Gate y Source y cerriar lo canal Dreno y Source. Para abrir lo canal Dreno y Sourse basta tocarmos con los dedos de las manos en lo Gate y asi lo descargamos , abrindo lo canal Gate y Sourse.
Tanbien con lo Multimetro pero haora ayustado para medir diodos , sienpre tenemos que lograr encontrar un diodo entre lo Dreno y Sourse , caso NO ese transistor estas dañado y deve sener atirado a la basura , eso es porque todo transistor MosFet contiene ese diodo intrinsicamente.
La tensión de VGSon o sea la tensión necesaria entre lo Gate y Souse para cerriar lo canal Dreno Y Source, varia de transistor para transistor y no deve sener equivocada con el VGSth que es la tensión donde lo MosFet começa a cerriar su canal Dreno y Sourse mas se conportando como un resistor (Rds) dependente de tensión (VGS actual), hasta una hora que lo canal es totalmente cerriado (VGSon).
Desejo tener esclarecido un poco de como anda ese tipo de transistor , qualquer duda adicional pregunteme , es un plaser platicar.
!Fuerte abrazo desde Brasil!
Att.
Daniel lopes.
 
Una duda que se ha presentado un par de veces... Cuando estoy midiendo un transistor medienate un tester digital (mi caso un fluke 115 en escalas de diodos) y he identificado sus partes (transitor NPN, BASE, EMISOR, COLECTOR). Anoto los valores obtenidos y mas o menos seria algo asi.

Midiendo la base con el emisor obtengo aveces un valor como 183 ese mismo valor me sale entre la base y el coletor... He aqui mi duda por lo general siempre o las veces que he medido otros transisores obtengo valores que rondan de 500 hacia arriba, rara vez valores bajos como 183, ¿si obtengo un valor bajo, debo asumir que el componente esta dañado?... ¿lo mismo debo de aplicar para el caso del PNP, si me da un valor tan bajo debo asumir que esta malo?

Lo otro es para el Transistor Mosfet, cuando realizo las mediciones y hago el swicher entre sus patas (drain + source) deberia obtener un valor que ronde los 0.82 ....Pero aveces obtengo un valor de 300 o 200... ¿deberia asumir que esta mal, el componente?


La guia para prueba de un mosfet la tome de aqui pero en ocasiones no me da un resultado de 0.82 o parecido sino mas bien de 300 0 400 (http://www.sharatronica.com/mosfets.html)

Por otra parte commo seria la prueba para este tipo demosfet

18deeu.png

Gracias de antemano a todos por los comentarios que puedan dejarme.
 
Última edición:
Tratando de medirlo con el metodo del mutimetro entre D y S mido 325 puedo disparar el gate y medir correctamente el cambio a 110.

Aunque los valores no son como dicen en varios sitios (de alrededor de 500) quiero pensar que las caracteristicas de este MOSFET hagan que dé esa lectura pero el problema no esta ahi.


1.-
Primera duda, que mide el multimetro en prueba de diodos: Mv u Ohms?
He leido diferentes tutoriales y algunos hablan de ohms y otros milivolts.... por eso no me anime a poner que unidades eran.

2.-
La lectura rapidamente empieza a subir hasta volver al valor inicia de 325, es normal eso?

He medido otros mosfet's y la lectura normalmente no cambia si dejo puesto el multimetro en la pata del transistor pero aca despues de unos segs vuelve al valor inicial.

3.-
Un mosfet gatillado deberia conducir en ambos sentidos (aunque no de la misma lectura) para considerarlo en buen estado?

Vi que algunos prueban medirlo en ambos sentidos. Una vez gatillado si invierto la puntas, normalmente se suelo tener una lectura, a veces un valor un poco mayor que el primero y a veces (como unos que saque de motherboards) me da muy bajo en ambos sentidos.

Pero el K2611 solo conduce en un sentido, en el otro me da como abierto.

Me imagino que las caracteristicas del mosfet hacen que todas estas mediciones solo den una idea de el funcionamiento del componente, pero este mosfet hace cosas que no vi en ningun metodo de medicion que encontre.



He tratado de hacer los deberes ya que me lei este y otros foros, mire varios videos de youtube y hasta arme ese circuito con el cd4049 en el protoboard y como a muchos que lo intentaron no me andubo asi que ahora estoy como mas dudas que certezas.

Agradezco la paciencia y sabidurias de los usuarios de este fantastico foro.

Saludos
 
Hola caro guzprada , todos los transistores tipo MosFet tienem internamente un diodo agregado con lo Dreno y Sourse ,con auxilio de un polimetro ayustado para medir diodos es possible avaliar esa caracteristica. haora si tenemos entre lo Dreno y Sourse un corto mismo curtocircuitando lo Gate con Sourse seguramente ese MosFet estas 100% dañado y deve sener atirado a basura , si tenemos un abierto sienpre entre Dreno y Sourse tanbien mismo caso : Basura en el. Quando aplicamos correctamente(la polaridad depende si el canal "N" o "P") entre Gate y Sourse una tensión de 9Volts obrigatoriamente devemos tener una baja resistencia entre Dreno y Sourse porque cerriamos lo canal Dreno y Sourse. curto circuitando Gate y Sourse descargamos esa junción que electricamente es un capacitor y lo canal abre nuevamente y hay tenemos novamente lo diodo intrinseco que ya hay. Qualquer otra situación que no acuerde con que aclare aca podemos considerar lo transistor como dañado .
!Fuerte abrazo , dudas adicionales , pregunte es un gusto platicarmos !
Att.
Daniel lopes.
 
Yo utilizo para medir mosfet o transistores comunes, un tester analógico de 20Kohms/volt, con ese instrumento me aseguro de gatillar la compuerta y verificar que el mosfet quede conduciendo.

El tester digital en diodo mide o indica tensión, o eso se supone, pero jamas lo utilizo, he encontrado diodos o transistores con pequeñas fugas que el digital ni se enteraba, pero el analógico mostraba un pequeño movimiento de aguja.

Otra utilidad del tester analógico común es la posibilidad de usar su escala de continuidad X1 para hacer girar los motores de DVD o cd, si de esa manera no giran es que están en mal estado.
 
Me encontre con este sujeto que para disparar/encender los MOSFETS N mantiene la punta negra en source y la roja se mueve del gate al drain. TODOS los demás electronicos mantienen la punta negra en el drain y mueven la punta roja desde el source al gate y al volver la punta roja al source marca baja resistencia. Ahora tengo disponible solo 2 mosfets N y me marcaron abierto haciendo el test del señor, y dichos mosfets fueron extraidos de placas en buen estado... Me quedo con una seria duda!!
Ustedes que son expertos y tienen muchos mosfets a la mano podrian decir si es necesario hacer ambas pruebas o la que me enseñaron es la correctisima..

La manera extraña que el señor testea mosfets:

...
 
Cargar el MOSFET debería ser referido al Source (Punta Negra en canal N y Roja en Canal P), es inherente si dejas la punta negra en Drain o Source al tocar la Gate ya que en teoría, al no tener conectada el otro terminal, Drain y Source tienen el mismo voltaje por lo que se polariza igualmente. En el video donde realizan la comprobación en ambos sentidos, ese valor de 500 corresponde al diodo interno en el MOSFET, el valor infinito es el ideal en ambos sentidos si no posee diodo interno.

Revisa la hoja de datos y el circuito interno del MOSFET para determinar los valores que serian normales.
 
Se que el tema de los transistores mosfet es algo complicado de entender, y ya que revivieron este tema, tengo algunas preguntas y espero me puedan ayudar, quizá son un poco tontas, pero de todas formas ahí van... Tengo varios IRFZ44N

1.- Hice la prueba siguiente; el tester en modo diodo, punta negra en el drenador y punta roja el surtidor, ahi marca un valor de 680±, luego con la punta roja toqué gate y regresé al surtidor, entonces ahora el valor era de 85±... ahora, según el material donde ponga el mosfet ese valor de 85± va aumentando hasta regresar de nuevo a los 680± que marcaba inicialmente. :eek:
Me he dado cuenta que lo descrito anteriormente suede solo si al momento de hacer las mediciones las patas del mosfet hacen contacto con superficies como el plástico tipo vynipiel, el papel, cartón y tela de algodón, mas no por ejemplo en el plástico de la carcaza del multimetro/tester o quedan volando en el aire, ¿A caso es normal eso en tratandose de los materiales antes descritos o se trata de un problema con los mosfet?

2.- Después de hacer la prueba del multimetro anteriormente descrita (la hice poniendo los mosfet sobre el plástico del multimetro), a todo los mosfet que tengo que son 9, aparentemente todos funcionaban bien... peeeeero al hacer la prueba con una corriente y foco de 12 volts sucedió lo siguiente; :cool::cool::unsure::unsure:

*** 3 de los mosfet prendían pero no se apagaban al "ordenarle" al mosfet que apagara puenteando gate con surtidor.

*** 2 de los mosfet prendían al "ordenarle" al mosfet que se activara puenteando gate con drenador, pero al poco tiempo de prender se apagaban, la intensidad de la luz decaía hasta apagarse completamente.

*** 4 de los mosfet hacian prender bien el foco al momento de ordenarle (gate+drenador) y se mantenian prendidos hasta ordenarle se apagara (gate+surtidor).


Luego entonces no se si descartar por malos los primeros 5 mosfet que presentaban las "fallas" descritas... Los expertos que opinan?:confused::confused::confused:
 
Última edición por un moderador:
Tengo esta duda al testear.


Cuando se esta testeando un mosfet en la escala de Diodos (IRF2807) entre la pata Drain (punta negra) y Source (punta roja) obtengo un valor que ronda los 500 mv (526 mv) y al colocar la punta roja al Gates sin quitar la punta negra del Drain.Supongo que deberia obtener un valor bajo que ronde de los 200mv a 300mv fijos, es decir, que el teste no muestre incremento de ese valor.

Pero yo, me he topado en repetidas ocaciones con mosfet que al testearlos, ese valor, entre Gates y Source (cuando se activa el gatillo)va suviendo de forma simultaneamente hasta llegar al valor obtenido entre Drain y Source.

Y revisando varios de esos mismos mosfet allados en un UPS otros me dan un valor fijo al accionar el gatillo (como por ejemplo 215mv) otros muestran la secuencia de 215,216,217,218 hasta llegar a los 526mv....Entonces como se debe interpretar este resultado tiene fuga el mosfet?

Buscando por internet me decidi construir un circuito de prueba abajo les anexo el diagrama pero la prueba me indica que el mosfet no esta en corto... Abra otro circuito de prueba que pueda ser mas preciso.

Les agradecere que me ayuden a dicipar esta duda por favor y de antemano muchas gracias.
 

Adjuntos

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Última edición:
hola, tengo dudas con el Mosfet A04407 GP, al llevar 2 diodos zener de proteccion entre Gate y Surtidor ¿como podria activarlo para probarlo fuera e la paca? lo he probado comoun mosfet normal de canal N, pero solo puedo comprobar el diodo de siurtidor y drenador.
GRacias
 
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