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Carga electrónica ajustable

vale
Tienes que hacer cuentas multiplicando la curriente absorvida por la carga veses la tensión aplicada a el y veer si la dicipación sobre lo transistor no es sobrepasada.
.
Disculpa, no entendi bien, tengo que multiplicar la corriente absorbida de la carga, o sea la corriente que cae en la resistencia shunt??, veces la tension aplicada?
 
vale

Disculpa, no entendi bien, tengo que multiplicar la corriente absorbida de la carga, o sea la corriente que cae en la resistencia shunt??, veces la tension aplicada?
NO , multipique la tensión aplicada a la carga electronica por la curriente que esa consome (absorve) , esa es la potenzia a sener dicipada por lo transistor.
Att,
Daniel Lopes.
 
Oh cielos, entonces por eso morian mis mosfets y sobrebivian con las baterias, por que en las condiciones que estaban eran 3.7v 2.2Ah, normal viven le sacaba como maximo 2A con la carga electronica, 2x3.7=7.4w y otra bateria de 8.4v 4.4Ah, le pedia 4A seria 8.4x4=37.8w.
Entonces cuando le ponia a mi fuente de 26v y 5A, mi mosfet moria cuando le pedia mas de 3.2A
26*3.2=83.2w.
Segun datasheet el irfz48n soporta como maximo 55v, 64A y 130w.
Si sigo tu consejo de no superar los 50w por mosfet, entonces si quiero que mi carga soporte como maximo 35v y 5A tendria que poner 35x5=175w, 175/50=3.5, tendria que poner 4 mosfets
 
Oh cielos, entonces por eso morian mis mosfets y sobrebivian con las baterias, por que en las condiciones que estaban eran 3.7v 2.2Ah, normal viven le sacaba como maximo 2A con la carga electronica, 2x3.7=7.4w y otra bateria de 8.4v 4.4Ah, le pedia 4A seria 8.4x4=37.8w.
Entonces cuando le ponia a mi fuente de 26v y 5A, mi mosfet moria cuando le pedia mas de 3.2A
26*3.2=83.2w.
Segun datasheet el irfz48n soporta como maximo 55v, 64A y 130w.
Si sigo tu consejo de no superar los 50w por mosfet, entonces si quiero que mi carga soporte como maximo 35v y 5A tendria que poner 35x5=175w, 175/50=3.5, tendria que poner 4 mosfets
Tenga en mente que la maxima potenzia manejable aclarada por lo fabricante en las hojas de datos técnicos son validas para una tenperatura de 25°C en la pastilla del silicio , covengamos cosa casi impossible de lograr en la practica (mundo Real) :eek: :eek: :eek: :eek: :eek:
Para lograr manejar mas potenzia aun la salida es poner mas transistores en paralelo y sienpre que possible de mismo lote de fabricazión .
!Suerte!.
Att,
Daniel Lopes.
 
Última edición:
Hola, el clon del kit chino funciona bien. Posibilidad de ajuste preciso.

sch.png

Atención: Si realiza una conexión inversa, los MOSFET pueden funcionar mal. Como precaución, puedes conectar un diodo de alta potencia en serie a la línea positiva.

Parámetros del kit original;

Voltaje de entrada: 0-15v/0-72V (según tipo mosfet)

Corriente de carga: 0-10A/0-2A (según tipo mosfet)

75NF75 75V 150W

Intercambiable con R18 16K-18K 10A, 20K 8A C9 22uF

 

Adjuntos

  • file.zip
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  • pcb.png
    pcb.png
    103.9 KB · Visitas: 14
Yo acabe comprando esta carga en Aliexpress por precio y prestaciones

Carga.png

3. Protección de conexión inversa: de conexión inversa con protección, incluso si el cable está conectado en sentido inverso no se dañará.
4. Con control de temperatura Función de velocidad infinitamente variable, con radiador industrial de dientes grandes, puede garantizar la estabilidad a largo plazo.
Con protección contra sobretensión, protección contra sobrecorriente, protección de temperatura NTC y otras funciones.
6. Amplia gama de aplicaciones: muy adecuado para montar adaptador de corriente gabinete de envejecimiento automático.

Parámetro:
Rango de corriente: 0 ~ 20A
Voltaje de alimentación: CC 12V (± 5%)
Voltaje máximo: 100V
Potencia máxima: 250W
Protección contra sobretemperatura: 80 ℃
Protección contra sobrecorriente: 20A
Error máximo de corriente de descarga: 2%
Error máximo de la prueba de capacidad: 0.5A 2.5%, 2A 1.5%, más de 5A 1,2
Modo de funcionamiento: corriente constante de modo único (CC)
Tamaño del cuerpo: 12,5*11,5*8cm
 
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