Dudas básicas sobre almacenar información

Más o menos entiendo el almacenamiento optico (cd) el magnetico (discos duros), pero no entiendo las ram ni el pendrive.
Al ser binario, se que solo hay dos estados posibles,pero no sé cuales son esos estados. En el disco de cd, se que es o surco o ausencia de surco, en el magnetico o polaridad o no polaridad, pero en pendrive y rams qué cosa es?
He elido algo tipo "condensador cargado vs condensador descargado" pero no se si es en memorias flash y en ram o solo en una de ellas...
Aclaradmelo,por favor.

gracias
 

Dr. Zoidberg

Well-known-Papá Pitufo
No es por tirar mala onda, pero dado tu nivel de conocimiento... mejor quedate con la capacidad de almacenamiento que es lo unico que necesitas saber.
 
Como no fabrico pendrives; ni falta queme importa.
Básicamente esmemoria eeprom flash,busca como funciona por curiosidad y ya está- Yo honestamente no lo sé y no me hace falta saberlo.
 
No todas funcionan asi, pero las primeras, y sus subsiguientes memorias, eran unos discos ferromagneticos que tenian atravezados por el centro dos alambres en diferentes direcciones (lo que se conoce como "dato" y "direccion"), segun el campo magnetico formados por ambos, magnetiza o no al circulo ferrozo, lo que se traduce como "0's" y "1's"
 

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Entonces empezá por estudiar de tecnicas digitales y manejo de datos, lineas de escritura y lectura, y direccionamientos, transmisiones seriales y paralelas, y cuando llegues a esto, te vas a dar cuenta si seguir o quedarte con lo que tenes.
 
yo quiero saberlo,quiero aprender cositas.
Básicamente son transistores MOS con la compuerta aislada formando un circuito biestable. Durante la grabación queda retenida carga eléctrica en la compuerta (obviamente hay una circuitería asociada para esto) y como esta aislada la carga permanece indefinidamente. Al leer esa celda, según haya carga el transistor conducirá o no y terminas leyendo un 1 o un 0.

Las primeras fueron las EPROM, que para borrarse necesitaban ultravioleta. Los UV volaban la carga y terminabas leyendo puros 1's ; Para grabarse se necesitaban tensiones de 12.5V o mas por lo que se utilizaba un grabador, nunca on board.
Después salieron las EEPROM cuya diferencia fundamental era que necesitaban una corriente miserable para la grabación, por lo que elevaban internamente la tensión con capacitores integrados y ahora si se podía hacer todo on board.
En las actuales FLASH cambia el circuito de la celda y son de mayor capacidad y velocidad que las EEPROM , pero todas se basan en lo mismo: La retención de carga eléctrica en la compuerta de un transistor.
 
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DOSMETROS

High 2m Modereitor
Letras y números se convierten a binario , luego existen todas las operaciones en binario , suma , resta , división , potenciación , raices , etc.

Llave-transistor cerrado , es un 1 , abierto es un 0
 
Básicamente son transistores MOS con la compuerta aislada formando un circuito biestable. Durante la grabación queda retenida carga eléctrica en la compuerta (obviamente hay una circuitería asociada para esto) y como esta aislada la carga permanece indefinidamente. Al leer esa celda, según haya carga el transistor conducirá o no y terminas leyendo un 1 o un 0.

Las primeras fueron las EPROM, que para borrarse necesitaban ultravioleta. Los UV volaban la carga y terminabas leyendo puros 1's ; Para grabarse se necesitaban tensiones de 12.5V o mas por lo que se utilizaba un grabador, nunca on board.
Después salieron las EEPROM cuya diferencia fundamental era que necesitaban una corriente miserable para la grabación, por lo que elevaban internamente la tensión con capacitores integrados y ahora si se podía hacer todo on board.
En las actuales FLASH cambia el circuito de la celda y son de mayor capacidad y velocidad que las EEPROM , pero todas se basan en lo mismo: La retención de carga eléctrica en la compuerta de un transistor.
Me quedo con que las 3 son muy similares. ¿Hay alguna cuarta memoria? Gracias
Añado otra pregunta, ya que se nota que sabes. En las memorias magnéticas, qué es el 0 y qué es el 1. No se si uno es celda polarizada y el otro celda sin polarizar o se trata de celda polarizada de una manera y celda polarizada de otra manera.

Gracias
 
Me quedo con que las 3 son muy similares. ¿Hay alguna cuarta memoria?
Se pueden añadir las ROM y las PROM, pero en estas no hay retención de carga.
En las ROM el fabricante deja libre la capa superior del chip para metalizar según los requerimientos del cliente, de esta manera, 0 o 1 es un contacto a masa o Vdd. Obviamente estas se encargan directamente al fabricante y son mas baratas que las otras pero estamos hablando de grandes cantidades.
Las PROM en cambio las grabás vos, cada celda está formada por transistores "fusibles", al grabar se quema un transistor --> queda en corto.
Pero ojo, como las EPROM resultaron las de mayor venta (mas baratas), algunas PROMs eran en realidad EPROMs sin ventana.


... qué es el 0 y qué es el 1. No se si uno es celda polarizada y el otro celda sin polarizar o se trata de celda polarizada de una manera y celda polarizada de otra manera.
Hablar de 0 o 1 es referirse a los dos estados posibles de un sistema. ¿Naturaleza? Cualquiera.
 
Me quedo con que las 3 son muy similares. ¿Hay alguna cuarta memoria? Gracias
Añado otra pregunta, ya que se nota que sabes. En las memorias magnéticas, qué es el 0 y qué es el 1. No se si uno es celda polarizada y el otro celda sin polarizar o se trata de celda polarizada de una manera y celda polarizada de otra manera.

Gracias
Según de lo que he leído, se trata de lograr la rentabilidad de la tecnología de los estados cuánticos y memristores como medio de almacenamiento.
 
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