Duda sobre ROE usando BLF177

estoy armando un circuito que usa un transistor BLF177 como paso de amplificacion tipo estado solido. En las especificaciones de este transistor dice que soporta un ROE máximo de 50:1 ... ¿esto significa que puede funcionar con una antena muy desacoplada aún sin dañarse? ó ¿que significa exactamente la relación 50:1 que indica?

pd: (soy novato y muchas cosas todavia no las tengo bien claras.) :cool:
 
He mirado los datasheets y no encuentro ese parametro, pon el archivo donde lo has visto o coloca un enlace al mismo.
Eso que dices es imposible. Pero tengo curiosidad. :confused:
Saludos.
 
No puedo entrar, me dice:

General Error

SQL ERROR [ mysql4 ]

Too many connections [1040]

An sql error occurred while fetching this page. Please contact an administrator if this problem persists.
 
Ok,, jeje acabo de verificar y en efecto me da ese mismo error, aunque yo hace unos minutos pude entrar correctamente, en todo caso copié esto del cache de google.. que es donde hace referencia, dice : " I decided it was time to make a solid state amp for HF and possibly 50Mhz as well.
After looking at the pros and and the cons of many different devices I settled for the BLF177.
A very rugged Fet with a max VSWR of 50:1 and it is also an NXP/Phillips fet so very good quality.

The whole idea is not just based on theoretical simulations, no it is based on a Phillips application note which decribes the whole amp.
I compared this with the a similar concept from Motorola and am favouring this design.
"

Porsupuesto a mi tambien me llama la atención ese dato.. ó probablemente he entendido mal. :unsure:

tambien he encontrado el siguiente artículo en otro lado.. http://forums.qrz.com/showthread.php?t=227648

en un comentario hecho por KC8VWM dice lo siguiente: "For example, Google the $50 solid state # BLF177 RF transistor for example... It only requires 48 VDC, It has a 300-500 watt output rating with only 10 watt drive, (attenuator recomended) has an efficiency rating of 68% and it can even withstand a VSWR of 50:1 !!! etc.

Extremely rugged and incredibly efficient when compared to (old) tube amplifier technology by comparison.
"

La idea y por lo que estoy preguntando es por lo siguiente, voy a realizar los ajustes de la antena con un modulo que usa este dispositivo, y probablemente en algunos momentos la ROE de la antena podría ser alta y quiero asegurarme de no dañar nada.. en el manual de mi modulo dice lo mismo que en el datasheet original que es un VSWR de 3:1 ?

Ok.... ok.. encontre esto en el datasheet hay un parrafo con lo siguiente http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BLF177_N.pdf

"The BLF177 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 50 through all phases under the
following conditions: f = 28 MHz; VDS = 50 V at rated output power."

dice frecuencia=28 Mhz ¿quiere decir que soporta eso si se trabaja a esa frecuencia? si mi frecuencia es por ej. 107.5 mhz ese valor cambia mucho?
 
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Una ROE de 50 es altísima, es un desacople brutal de la línea transmisión, si te enfrentaras a ese caso, la proporción de energía radiada sería ínfima, normalmente haciendo un ajuste de antena muy rápido es fácil dejar la ROE por debajo de 3 (valor en el cual ya pierdes el 25% de la energía). Vamos que por ese valor no te dará problemas el transistor.
 
Opino igual.

Creo que ni un plátano llega a 50:1, en tal caso como acaban de decir, el rendimiento seria como el de un emisor de juguete.
No te dejes seducir por esa caracteristica del transistor ya que no es útil en ningun sentido practico. De todos modos, si el transistor, por lo demas, se ajusta a tus exigencias ... Adelante con tu proyecto.
Me gustaria saber si alguien ha probado a llevarlo a éste límite sólo por estar seguro, je,je.:LOL:

Saludos.
 
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